我就等着买这个硬盘了 [复制链接]

富士通研究所于8月20日宣布开发成功一种新型磁存储技术，该技术可使用硬盘在1平方英寸(约2.5cm)的面积上实现100GB的存储密度。这种新技术一旦投入使用，笔记本电脑用的2.5英寸硬盘就可以达到110GB的存储容量。该公司声称：“达到了世界最高的存储密度”。富士通预定在2001年度后期上市的硬盘上采用该技术。
　　此次富士通研究所开发的技术主要包含以下三个方面：(1)存储介质--可基此制造出存储密度约达原产品3倍的新产品；(2)GMR(巨磁电阻)磁头--播放时以达原产品2倍以上的电压读取数据；这样即使是从高密度磁盘读取数据时的噪音也可有效降低；(3)记录磁头--可将存储能力同比提高30%以上。通过上述技术的采用，该公司实现了100GB/平方英寸的存储密度。
　　富士通于2000年4月份开发成功记录密度为56GB/平方英寸的硬盘技术。此次，富士通研究所进一步提高记录密度，从而实现了100GB位/平方英寸的硬盘技术。该研究所表示，如果进一步改善该新硬盘技术，预计可以实现记录密度为300GB/平方英寸的硬盘技术。




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我就买这个100G的硬盘了